在中美贸易摩擦和市场需求的双重刺激下，国家层面和行业企业均开始推进半导体核心技术国产自主化，实现供应链安全可控，加速了半导体器件的国产化替代进程。
日前，又有消息称，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021～2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。
“国家计划把大力支持发展第三代半导体产业写进目前正在制定的‘十四五’规划中，必将推动第三代半导体材料、器件和应用技术的大力发展。”华微电子表示，第三代半导体技术，我国与国外在技术上差距小，大力发展第三代半导体能够使我们具有拥有和国际巨头齐头并进和换道超车的条件。
国家支持
为推动半导体产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，带动传统产业改造和产品升级换代，进一步促进国民经济持续、快速、健康发展，近些年来，中央及地方政府推出了一系列鼓励和支持半导体产业发展的政策。
日前，中国共产党第十九届中央委员会第五次全体会议通过了《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十四个五年规划和二O三五年远景目标的建议》(以下简称“建议”)。建议中明确指出，将瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目，以此来强化国家战略科技力量。
对此，业内又有消息称，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021~2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。
事实上，此前工业和信息化部也表示，积极考虑将5G、集成电路、生物医药等重点领域纳入“十四五”国家专项规划，进一步引导企业突破核心技术，依托重大科技专项、制造业高质量发展专项等加强关键核心技术和产品攻关，加强技术领域国际合作，有力有效解决“卡脖子”问题，为构建现代化经济体系、实现经济高质量发展提供有力支撑。
在南京世界半导体大会暨第三代半导体产业发展高峰论坛上，国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露：国家2030计划和“十四五”国家研发计划都已经明确，第三代半导体是重要发展方向，现在到了动议讨论实施方案的阶段。
“国家计划把大力支持发展第三代半导体产业写进目前正在制定的‘十四五’规划中，必将推动第三代半导体材料、器件和应用技术的大力发展。”华微电子表示，我国在第三代半导体技术方面起步相对国外要晚，在材料、器件等关键技术上还有瓶颈，目前的环境下推动了相关第三代半导体技术的研究和企业发展，这对解决和推进关键技术、加大研发和生产资金投入有积极作用。
弯道超车
半导体产业的发展历程，其先后经历了以硅(Si)为代表的第一代半导体材料，以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料，在20世纪，这两代半导体材料为工业进步、社会发展做出了巨大贡献。而如今，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体虽处于初期阶段，但是市场已经显示出了巨大的需求。
作为一类新型宽禁带半导体材料，第三代半导体材料在许多应用领域拥有前两代半导体材料无法比拟的优点，如具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、高抗辐射能力。因此，第三代半导体在电力电子方面有广阔的应用前景，可以广泛应用于5G通信、工业机电、轨道交通、消费电子等领域，应用前景广阔、市场容量增长潜力巨大。
国家知识产权局学术委员会编写的第三代半导体产业专利分析报告内的数据显示，2017年，碳化硅、氮化镓在电力电子器件市场规模合计达2.9亿~3.3亿美元，意味着2017年第三代半导体电力电子器件的市场占有率已经达到2.2%~2.5%，在2020年将超过10亿美元，并将于2025年达到37亿美元。
也有观点认为，由于第三代半导体材料及应用产业发明并实用于本世纪初年，各国的研究水平相差不远，还未形成规模垄断，在第三代半导体光电子材料和器件领域与国际先进水平相比处于并跑状态，在市场需求和产业化水平方面处于领跑状态，随着国家战略层面支持力度的加大，加上在5G、新能源汽车、能源互联网、轨道交通、国防军备等下游应用领域快速发展带动下，第三代半导体产业将成为未来半导体产业发展的重要引擎。
因此，业界普遍认为，国内企业积极准备，主动布局，是一个顺应产业和技术潮流的事情。及早布局，可以避免目前以硅为代表的二代半导体产业的被动局面。
“第三代半导体技术，我国与国外在技术上差距小，大力发展第三代半导体能够使我们具有和国际巨头齐头并进和换道超车的条件。”华微电子也认为，伴随科技创新浪潮席卷全球，新能源汽车及充电桩、5G等新一代通信技术、光伏等飞速发展，半导体行业发展空间巨大。同时这些应用也对功率半导体提出了新的要求，第三代半导体以其优异的性能和潜力，成为电力电子器件发展的新趋势。
积极布局
在过去的两年，受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等因素，第三代半导体产业稳步发展，涌现了第三代半导体材料投资热潮。
不过，第三代半导体并非是在第一代、第二代半导体的技术上进行一种简单的迭代，而是一个全新的技术架构。这要求真正有能力、有自主知识产权的企业能够沉淀下来去做这件事。
在过去的半个多世纪中，华微电子持续突破诸多关键技术，加速推动功率半导体器件的国产化替代，助力我国工业强基与民族产业发展，成为具有国际竞争力的功率半导体企业。
“最大的瓶颈是原材料。”华微电子表示，我国原材料的质量、制备问题亟待破解；另外相关材料制备的关键设备依靠进口；SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平还有差距；其应用技术的研究比较关键，若相关配套技术及产品跟不上，第三代半导体的材料及器件的作用和效率可能会发挥不好。
作为首家国内功率半导体器件领域上市公司，华微电子坚持生产一代、储备一代、研发一代的技术开发战略，早已积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件的研发、制造。
在5G、新能源汽车、能源互联网、轨道交通、国防军备等下游应用领域快速发展带动下，第三代半导体产业将成为未来半导体产业发展的重要引擎。因此，业界普遍认为，国内企业积极准备，主动布局，是一个顺应产业和技术潮流的事情。及早布局，可以避免目前以硅为代表的二代半导体产业的被动局面。
“目前SiC产品已经可以提供二极管产品、GaN器件可以提供快充使用的FET。”华微电子表示，下一步，将进一步发挥公司的IDM模式的优势，集中精力研究三代半导体的关键产品技术和应用技术，完善相关生产线开发和制造能力，为消费类、工业和汽车电子领域提供优异的三代半导体电力电子器件。
为扩大公司生产线，2019年，华微电子以每股3.90元价格公开发行2.1亿股（占发行后总股本22.08%），募集资金总额8.3亿元，用于新型电力电子器件基地项目（二期）投资。
华微电子介绍，新型电力电子器件基地项目（二期）建成以后能够有力地补充公司的产品种类和提升产品性能。二期项目规划的产品主要是中低压MOSFET、IGBT和超结MOSFET产品，主要应用市场是电池保护、电动工具、基站电源、工业控制、充电桩和汽车电子，在这些领域华微电子产品技术储备完善，建成后可以快速发挥IDM模式的优势，快速提升产品线的盈利能力。在当前国产化替代趋势的环境下，有望快速突破高端领域。
“未来，第三代半导体将与第一代、第二代半导体技术互补发展，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点发挥重要作用。”业内人士认为，在国家全面推行“中国智造”大背景下，人工智能、新能源汽车、5G通信等越来越受到重视，第三代半导体材料受益于这些产业的发展，将迈进发展快车道，同时，以华微电子为代表的半导体企业也将获得长远发展。
《中国经营报》记者王登海北京报道
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